IRLZ44NPBF vs IRFZ44NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLZ44NPBF par Infineon et IRFZ44NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLZ44NPBF IRFZ44NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,65
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC 42 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 110 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.4 °C/W —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (3-pin + tab)
Type de montage Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET (Advanced Process)
Logic-Level Gate Drive Yes (fully enhanced at VGS=5V) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Fiches techniques et ressources

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