IRLZ44NPBF vs IRFZ44NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLZ44NPBF por Infineon e IRFZ44NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLZ44NPBF IRFZ44NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,65
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC 42 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 110 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.4 °C/W —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (3-pin + tab)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET (Advanced Process)
Logic-Level Gate Drive Yes (fully enhanced at VGS=5V) —
Status RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação