IRS2011STRPBF vs IRS2101STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2011STRPBF por Infineon y IRS2101STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2011STRPBF IRS2101STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,55 $1,18
Función Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels —
Número de salidas 2 2-OUT
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Encapsulado 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40C to +125C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Driver Type — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers — 2
Configuración de salida — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

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