IRS2011STRPBF vs IRS2101STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2011STRPBF von Infineon und IRS2101STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2011STRPBF IRS2101STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $1,18
Funktion Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels —
Anzahl der Ausgänge 2 2-OUT
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Gehäuse 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
Betriebstemperatur -40 C to +125 C -40C to +125C
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Driver Type — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers — 2
Ausgangskonfiguration — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

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