IRS2011STRPBF vs IRS2101STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2011STRPBF par Infineon et IRS2101STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2011STRPBF IRS2101STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $1,18
Fonction Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels —
Nombre de sorties 2 2-OUT
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Boîtier 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (SOIC-8)
Température de fonctionnement -40 C to +125 C -40C to +125C
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Driver Type — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers — 2
Configuration de sortie — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

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