IRS2011STRPBF vs IRS2302STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2011STRPBF por Infineon y IRS2302STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2011STRPBF IRS2302STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,55 $0,54
Función Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels —
Número de salidas 2 —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 5 V to 20 V
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Encapsulado 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (3.90 mm body)
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40C to +125C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Driver Configuration — Half-Bridge (High and Low Side, Independent)
Number of Drivers — 2
Offset Voltage (High-Side) — Up to +600 V
Source Current (typ.) — 0.2 A
Sink Current (typ.) — 0.35 A
Tiempo de subida — 130 ns (typ.)
Tiempo de bajada — 50 ns (typ.)
Propagation Delay — 220 ns (typ.)
Turn-On Delay — [DATA_NEEDED: exact turn-on delay]
Turn-Off Delay — [DATA_NEEDED: exact turn-off delay]
Input Type — Non-Inverting
Shutdown Pin — Yes
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Cross-Conduction Protection — Yes (built-in dead time)
Nivel MSL — 2 (per JEDEC J-STD-020)
Sin halógenos — Yes

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