IRS2011STRPBF vs IRS2302STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2011STRPBF von Infineon und IRS2302STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2011STRPBF IRS2302STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $0,54
Funktion Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels —
Anzahl der Ausgänge 2 —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 5 V to 20 V
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Gehäuse 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (3.90 mm body)
Betriebstemperatur -40 C to +125 C -40C to +125C
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Driver Configuration — Half-Bridge (High and Low Side, Independent)
Number of Drivers — 2
Offset Voltage (High-Side) — Up to +600 V
Source Current (typ.) — 0.2 A
Sink Current (typ.) — 0.35 A
Anstiegszeit — 130 ns (typ.)
Abfallzeit — 50 ns (typ.)
Propagation Delay — 220 ns (typ.)
Turn-On Delay — [DATA_NEEDED: exact turn-on delay]
Turn-Off Delay — [DATA_NEEDED: exact turn-off delay]
Input Type — Non-Inverting
Shutdown Pin — Yes
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Cross-Conduction Protection — Yes (built-in dead time)
MSL-Level — 2 (per JEDEC J-STD-020)
Halogenfrei — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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