IRS2011STRPBF vs IRS2302STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS2011STRPBF 제조: Infineon 및 IRS2302STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS2011STRPBF IRS2302STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.55 $0.54
기능 Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels —
출력 수 2 —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 5 V to 20 V
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
패키지 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (3.90 mm body)
동작 온도 -40 C to +125 C -40C to +125C
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Driver Configuration — Half-Bridge (High and Low Side, Independent)
Number of Drivers — 2
Offset Voltage (High-Side) — Up to +600 V
Source Current (typ.) — 0.2 A
Sink Current (typ.) — 0.35 A
상승 시간 — 130 ns (typ.)
하강 시간 — 50 ns (typ.)
Propagation Delay — 220 ns (typ.)
Turn-On Delay — [DATA_NEEDED: exact turn-on delay]
Turn-Off Delay — [DATA_NEEDED: exact turn-off delay]
Input Type — Non-Inverting
Shutdown Pin — Yes
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Cross-Conduction Protection — Yes (built-in dead time)
MSL 레벨 — 2 (per JEDEC J-STD-020)
할로겐 프리 — Yes

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