IRS2110SPBF vs IR2109SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2110SPBF por Infineon y IR2109SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2110SPBF IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,72 $1,05
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Configuración de salida Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC)
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado 16-SOIC (SOIC-16 W) SOIC-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Nivel MSL 3 —
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tiempo de subida — 200 ns
Tiempo de bajada — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 C to +150 C

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