IRS2110SPBF vs IR2109SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS2110SPBF por Infineon e IR2109SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS2110SPBF IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,72 $1,05
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Configuração de saída Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC)
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento 16-SOIC (SOIC-16 W) SOIC-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Nível MSL 3 —
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tempo de subida — 200 ns
Tempo de descida — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de junção de operação — -40 C to +150 C

Fichas técnicas e recursos

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