IRS2110SPBF vs IR2109SPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS2110SPBF 제조: Infineon 및 IR2109SPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS2110SPBF IR2109SPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.72 $1.05
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
출력 구성 Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC)
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
동작 온도 범위 -40 C to +125 C —
패키지 16-SOIC (SOIC-16 W) SOIC-8
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant (Pb-free) Compliant
MSL 레벨 3 —
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
상승 시간 — 200 ns
하강 시간 — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Bootstrap Diode — Integrated
동작 접합 온도 — -40 C to +150 C

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청