IRS2110SPBF vs IR2109SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2110SPBF par Infineon et IR2109SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2110SPBF IR2109SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,72 $1,05
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Configuration de sortie Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC)
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier 16-SOIC (SOIC-16 W) SOIC-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Niveau MSL 3 —
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Temps de montée — 200 ns
Temps de descente — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Bootstrap Diode — Integrated
Température de jonction en fonctionnement — -40 C to +150 C

Fiches techniques et ressources

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