IRS2153DPBF vs IRS2153DSPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2153DPBF por Infineon y IRS2153DSPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2153DPBF IRS2153DSPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida NRND Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,78 $0,98
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Topología Self-Oscillating (RC-timed) —
Número de salidas 2 (High-Side, Low-Side) 2 (HO, LO)
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] 10 V to 20 V
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
Temperatura de unión de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-Pin PDIP (through-hole) 8-SOIC (SOIC-8)
Nivel MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
Estado RoHS Compliant (Pb-free suffix) —
Función — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Tipo de montaje — Surface Mount

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