IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de IS43TR16256AL-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,60 | $14,32 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Encapsulado | 96-TWBGA (9x13mm) | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C | 0°C to +95°C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Número de pines | — | 96 |