IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IS43TR16256AL-125KBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,60 | $14,32 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Boîtier | 96-TWBGA (9x13mm) | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C | 0°C to +95°C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| Débit de données | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Nombre de broches | — | 96 |