IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IS43TR16256AL-125KBL от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,60 | $14,32 |
| Тип памяти | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Напряжение питания | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Корпус | 96-TWBGA (9x13mm) | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C | 0°C to +95°C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Организация памяти | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Количество выводов | — | 96 |