ISC011N04NM7VATMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon y IGL65R080D2XUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | ISC011N04NM7VATMA1 | IGL65R080D2XUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,41 | $1,97 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | CoolGaN G5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | GaN-on-Si, 200 mm wafer |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount, wettable flank |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| Nivel MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) |
| Tipo de transistor | — | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 81 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | 80 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Typical Applications | — | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters |
| Estado RoHS | — | Compliant |