ISC011N04NM7VATMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC011N04NM7VATMA1 제조: Infineon 및 IGL65R080D2XUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC011N04NM7VATMA1 | IGL65R080D2XUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.41 | $1.97 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | CoolGaN G5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | GaN-on-Si, 200 mm wafer |
| 패키지 | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount, wettable flank |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| MSL 레벨 | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 81 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | 80 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Typical Applications | — | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters |
| RoHS 상태 | — | Compliant |