ISC015N06NM5ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon y IAUC41N06S5N102ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC015N06NM5ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Encapsulado PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) —
Estado RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Part Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 47 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 42 W
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.4 V (typical)
Total Gate Charge (QG) — 12.5 nC
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family)
Channel Polarity — N-Channel (single)

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