ISC015N06NM5ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon et IAUC41N06S5N102ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC015N06NM5ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Boîtier PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) —
Statut RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Part Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 47 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 42 W
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.4 V (typical)
Total Gate Charge (QG) — 12.5 nC
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family)
Channel Polarity — N-Channel (single)

Fiches techniques et ressources

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