ISC015N06NM5ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon e IAUC41N06S5N102ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC015N06NM5ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) —
Status RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Part Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 47 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 42 W
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.4 V (typical)
Total Gate Charge (QG) — 12.5 nC
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family)
Channel Polarity — N-Channel (single)

Fichas técnicas e recursos

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