ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC024N08NM7ATMA1 por Infineon y ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC024N08NM7ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,02 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 24 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 167 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 150 W —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8 (SSO8) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Gate Threshold Voltage (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] —
Total Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS 6
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Encapsulado — PG-TDSON-8 FL
Número de pines — 8
Channel Mode — Enhancement
Temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C

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