ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC024N08NM7ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC151N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC024N08NM7ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 167 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 150 W | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8 (SSO8) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | — |
| Gate Threshold Voltage (typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Rds(on) at Vgs=10V (typ) | [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg (typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8 FL |
| پنز کی تعداد | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |