ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC024N08NM7ATMA1 מאת Infineon ו ISC151N08NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISC024N08NM7ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 167 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 150 W | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז / Case | PG-TDSON-8 (SSO8) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C | — |
| Gate Threshold Voltage (typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Rds(on) at Vgs=10V (typ) | [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg (typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| זרם ניקוז רציף (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| מארז | — | PG-TDSON-8 FL |
| מספר פינים | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |