ISC037N12NM6ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon y IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC037N12NM6ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,62 $0,82
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Estado RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

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