ISC037N12NM6ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC037N12NM6ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC037N12NM6ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,62 $0,82
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis