ISC037N12NM6ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC037N12NM6ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,62 $0,82
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Status RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação