ISC045N03L5SATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC045N03L5SATMA1 por Infineon y IAUCN08S7L013ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC045N03L5SATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,51 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55 °C to +175 °C
Estado RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

Hojas de datos y recursos

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