ISC045N03L5SATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC045N03L5SATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L013ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC045N03L5SATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Boîtier SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55 °C to +175 °C
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
Courant de drain continu (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

Fiches techniques et ressources

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