ISC045N03L5SATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC045N03L5SATMA1 por Infineon e IAUCN08S7L013ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC045N03L5SATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,51 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Encapsulamento SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C -55 °C to +175 °C
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

Fichas técnicas e recursos

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