ISC045N03L5SATMA1 vs ISC030N12NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC045N03L5SATMA1 por Infineon y ISC030N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC045N03L5SATMA1 ISC030N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,51 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS 6 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C —
Estado RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 194 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 3.4 mOhm @ VGS=10 V
On-Resistance RDS(on) typical — 3.0 mOhm @ VGS=10 V
Disipación de potencia (TC=25°C) — 250 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (full RDS(on))
Configuration — Single N-channel, source-down
Packaging (suffix) — Tape & Reel (ATMA1)
RoHS — Compliant

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