ISC045N03L5SATMA1 vs ISC030N12NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC045N03L5SATMA1 von Infineon und ISC030N12NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC045N03L5SATMA1 ISC030N12NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS 6 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Gehäuse SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C —
RoHS-Status Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 194 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 3.4 mOhm @ VGS=10 V
On-Resistance RDS(on) typical — 3.0 mOhm @ VGS=10 V
Verlustleistung (TC=25°C) — 250 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Betriebstemperatur — -55 C to +175 C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (full RDS(on))
Configuration — Single N-channel, source-down
Packaging (suffix) — Tape & Reel (ATMA1)
RoHS — Compliant

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