ISC045N03L5SATMA1 vs ISC030N12NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC045N03L5SATMA1 por Infineon e ISC030N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC045N03L5SATMA1 ISC030N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,51 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS 6 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Encapsulamento SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C —
Status RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 194 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 3.4 mOhm @ VGS=10 V
On-Resistance RDS(on) typical — 3.0 mOhm @ VGS=10 V
Dissipação de potência (TC=25°C) — 250 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Temperatura de operação — -55 C to +175 C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (full RDS(on))
Configuration — Single N-channel, source-down
Packaging (suffix) — Tape & Reel (ATMA1)
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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