ISC045N03L5SATMA1 vs ISC030N12NM6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC045N03L5SATMA1 제조: Infineon 및 ISC030N12NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC045N03L5SATMA1 | ISC030N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.51 | $1.62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | ISC045N03L5SATMA1 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 5 / Trench | OptiMOS 6 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 63 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V @ ID=250 µA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF @ VDS=15 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| 패키지 | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | — | 194 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 21 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 3.4 mOhm @ VGS=10 V |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 3.0 mOhm @ VGS=10 V |
| 전력 손실 (TC=25°C) | — | 250 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| 동작 온도 | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (full RDS(on)) |
| Configuration | — | Single N-channel, source-down |
| Packaging (suffix) | — | Tape & Reel (ATMA1) |
| RoHS | — | Compliant |