ISC056N08NM6ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC056N08NM6ATMA1 por Infineon y ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC056N08NM6ATMA1 ISC056N08NM6ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

ISC056N08NM6ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

ISC056N08NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC056N08NM6ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC056N08NM6ATMA1 —
Series OptiMOS 6 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 6) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 88 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 100 W —
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 Flat Lead) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant —
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

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