ISC056N08NM6ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC056N08NM6ATMA1 par Infineon et ISC028N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC056N08NM6ATMA1 ISC056N08NM6ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

ISC056N08NM6ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

ISC056N08NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC056N08NM6ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC056N08NM6ATMA1 —
Series OptiMOS 6 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 6) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 88 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 100 W —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 Flat Lead) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant —
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

Fiches techniques et ressources

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