ISC056N08NM6ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC056N08NM6ATMA1 por Infineon e ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC056N08NM6ATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,78 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC056N08NM6ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 6) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 15.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 88 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 100 W | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 Flat Lead) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |