ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC078N12NM6ATMA1 por Infineon y ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC078N12NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.2 A —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 7.8 mΩ —
Power Dissipation at Tc 125 W 214 W
Power Dissipation at Ta 3 W 3 W
Encapsulado SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Recuento de pines 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

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