ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC078N12NM6ATMA1 por Infineon e ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC078N12NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.2 A —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 7.8 mΩ —
Power Dissipation at Tc 125 W 214 W
Power Dissipation at Ta 3 W 3 W
Encapsulamento SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Contagem de pinos 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação