ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC078N12NM6ATMA1 par Infineon et ISC037N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC078N12NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.2 A —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 7.8 mΩ —
Power Dissipation at Tc 125 W 214 W
Power Dissipation at Ta 3 W 3 W
Boîtier SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Nombre de broches 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Fiches techniques et ressources

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