ISC0802NLSATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC0802NLSATMA1 por Infineon y ISC0805NLSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC0802NLSATMA1 ISC0805NLSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,80 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Part Number ISC0802NLSATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 150 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.6 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 125 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
Encapsulado PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS™ 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 71 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 74 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.3 V
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V — 16 nC
Input Capacitance Ciss — 2.2 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 23 pF
Output Capacitance Coss — 360 pF

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