ISC0802NLSATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC0802NLSATMA1 tarafından Infineon ve ISC0805NLSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC0802NLSATMA1 | ISC0805NLSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Part Number | ISC0802NLSATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 150 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 125 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55 °C to +150 °C |
| Paket | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS™ 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 71 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 74 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.3 V |
| Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V | — | 16 nC |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.2 nF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 23 pF |
| Output Capacitance Coss | — | 360 pF |