ISC0805NLSATMA1 vs ISC0802NLSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC0805NLSATMA1 por Infineon y ISC0802NLSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC0805NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $1,80
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 71 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 74 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.3 V —
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V 16 nC —
Input Capacitance Ciss 2.2 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 23 pF —
Output Capacitance Coss 360 pF —
Encapsulado PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55 C to +175 C
Estado RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 5
Part Number — ISC0802NLSATMA1
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (Power MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 150 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
RDS(on) max at VGS=10V — 3.6 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc — 125 W

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