ISC0805NLSATMA1 vs ISC0802NLSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC0805NLSATMA1 par Infineon et ISC0802NLSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC0805NLSATMA1 | ISC0802NLSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $1,80 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 71 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 74 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | 10.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.3 V | — |
| Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V | 16 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.2 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 23 pF | — |
| Output Capacitance Coss | 360 pF | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C | -55 C to +175 C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Part Number | — | ISC0802NLSATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 (Power MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 150 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 22 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.6 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 125 W |