ISC0805NLSATMA1 vs ISC0802NLSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC0805NLSATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC0802NLSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC0805NLSATMA1 ISC0805NLSATMA1 - 100V 71A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC0805NLSATMA1 - 100V 71A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC0805NLSATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC0805NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 5 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 71 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 74 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.3 V —
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V 16 nC —
Input Capacitance Ciss 2.2 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 23 pF —
Output Capacitance Coss 360 pF —
پیکیج PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55 C to +175 C
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Series — OptiMOS 5
Part Number — ISC0802NLSATMA1
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (Power MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 150 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
RDS(on) max at VGS=10V — 3.6 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc — 125 W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں