ISC151N08NM6ATMA1 vs IPB068N20NM6ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon y IPB068N20NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IPB068N20NM6ATMA1 - 200V 68mOhm N-Ch OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IPB068N20NM6ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | ISC151N08NM6ATMA1 | IPB068N20NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,78 | $0,99 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| Corriente de drenador continua (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | 68 milliohm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 charge-compensation trench |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 FL | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pines | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C to +175 °C | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 15.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 134 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 300 W |
| RDS(on) Improvement vs Prior Generation | — | 42% lower |
| Recuento de pines | — | 3 (2 + tab) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (ATMA1 suffix = T&R) |