ISC151N08NM6ATMA1 vs IPB068N20NM6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC151N08NM6ATMA1 제조: Infineon 및 IPB068N20NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC151N08NM6ATMA1 | IPB068N20NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.78 | $0.99 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| 연속 드레인 전류 (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | 68 milliohm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 charge-compensation trench |
| 패키지 | PG-TDSON-8 FL | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| 동작 온도 | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 15.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 134 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 300 W |
| RDS(on) Improvement vs Prior Generation | — | 42% lower |
| 핀 수 | — | 3 (2 + tab) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (ATMA1 suffix = T&R) |