ISC151N08NM6ATMA1 vs IPB068N20NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC151N08NM6ATMA1 par Infineon et IPB068N20NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC151N08NM6ATMA1 | IPB068N20NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,99 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | 68 milliohm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 charge-compensation trench |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 15.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 134 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 300 W |
| RDS(on) Improvement vs Prior Generation | — | 42% lower |
| Nombre de broches | — | 3 (2 + tab) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (ATMA1 suffix = T&R) |