ISCH99N04NM7VATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISCH99N04NM7VATMA1 por Infineon y IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISCH99N04NM7VATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $1,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current at Ta (I_D) 40 A —
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) 284 A —
Power Dissipation at Ta (P_D) 3 W —
Power Dissipation at Tc (P_D) 150 W —
Gate Threshold Voltage (V_th) Up to 3.2 V —
Encapsulado PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) PG-TTFN-9-3
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 7 Trench Power MOSFET OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Operating Mode Enhancement-mode —
Target Application 12 V to 48 V Motor Drives —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Maximum Junction Temperature — +175 degrees C
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 degrees C to +175 degrees C
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

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