ISCH99N04NM7VATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISCH99N04NM7VATMA1 par Infineon et IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISCH99N04NM7VATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $1,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current at Ta (I_D) 40 A —
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) 284 A —
Power Dissipation at Ta (P_D) 3 W —
Power Dissipation at Tc (P_D) 150 W —
Gate Threshold Voltage (V_th) Up to 3.2 V —
Boîtier PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) PG-TTFN-9-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 7 Trench Power MOSFET OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Operating Mode Enhancement-mode —
Target Application 12 V to 48 V Motor Drives —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Maximum Junction Temperature — +175 degrees C
Plage de température de fonctionnement — -55 degrees C to +175 degrees C
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

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